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Si4890DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
V GS = 10 V thru 4 V
50
40
30
20
10
0
3V
20
10
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.04
1500
C iss
1200
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
900
0.01
0
V GS = 10 V
600
300
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 11 A
1.6
I D = 1 1A
8
1.4
6
4
1.2
1.0
0.8
2
0.6
0
0.4
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70855
S09-0869-Rev. B, 18-May-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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